美國商務部宣布，美光已經與美光簽署了一份不具約束力的芯片芯片初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片法案》提供約61.4億美元的法案001直接撥款，另外還有75億美元的億美元補約貸款，以提高美國在尖端存儲半導體生產方面的貼未土競爭力。這些投資將推進美光的生產計劃，即未來20年內將約40%的轉移DRAM芯片生產轉移到美國本土。

美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，這是美光001美(mei)國半導體制造的(de)歷史性時刻，而美(mei)光領(ling)先的(de)芯(xin)(xin)片芯(xin)(xin)片內存(cun)是滿(man)足人工智(zhi)能日(ri)益(yi)增(zeng)長需求的(de)基(ji)礎，這將創造許多高(gao)科技(ji)就(jiu)業機會。法案美(mei)光擬議的(de)億美(mei)元補約投(tou)資將分布在紐約州和愛達荷州，以在美(mei)國創建一個強大的(de)貼未土(tu)領(ling)先DRAM芯(xin)(xin)片生(sheng)態(tai)系統：

紐約(yue)州克萊 - 計(ji)(ji)劃里(li)四座(zuo)晶(jing)圓(yuan)廠的前(qian)兩座(zuo)，屬于(yu)DRAM工廠，生產(chan)是(shi)轉移美(mei)光未(wei)來(lai)20年內在紐約(yue)投資(zi)約(yue)1000億美(mei)元(yuan)長期投資(zi)計(ji)(ji)劃的第一步。每座(zuo)晶(jing)圓(yuan)廠擁有(you)600,000平方英尺(chi)的潔(jie)凈(jing)室，四個設(she)施的潔(jie)凈(jing)室空間(jian)總計(ji)(ji)240萬平方英尺(chi)，這是(shi)美(mei)國有(you)史以(yi)來(lai)宣(xuan)布的最大潔(jie)凈(jing)室空間(jian)，面積相當于(yu)近40個足球場。

愛達荷(he)州博伊西 - 投(tou)資250億美(mei)元(yuan)建造(zao)一(yi)(yi)座大型晶圓(yuan)廠，潔凈室約(yue)600,000平方英尺，專注(zhu)于(yu)(yu)生產領先的DRAM芯片。這與美(mei)光的研(yan)發設施位于(yu)(yu)同(tong)一(yi)(yi)地(di)點，以提高其(qi)研(yan)發和制造(zao)業務的效率，減少技術轉讓(rang)的滯后，并縮短尖端內存產品的上市(shi)時間。

美光承諾，未來六年內斥資(zi)500億美元建造(zao)前三座(zuo)晶(jing)圓(yuan)廠，預計將在(zai)紐約州(zhou)創造(zao)9000多(duo)個制造(zao)和設(she)施(shi)工作(zuo)(zuo)崗位以(yi)及(ji)4500個建筑工作(zuo)(zuo)崗位，并在(zai)愛達荷(he)州(zhou)創造(zao)2000多(duo)個制造(zao)和設(she)施(shi)工作(zuo)(zuo)崗位以(yi)及(ji)4500個建筑工作(zuo)(zuo)崗位。