美國商務部宣布，美光已經與美光簽署了一份不具約束力的芯片芯片初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片法案》提供約61.4億美元的法案004直接撥款，另外還有75億美元的億美元補約貸款，以提高美國在尖端存儲半導體生產方面的貼未土競爭力。這些投資將推進美光的生產計劃，即未來20年內將約40%的轉移DRAM芯片生產轉移到美國本土。

美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，這是美光004美(mei)國半導體制造的(de)歷史性時刻，而美(mei)光領先(xian)的(de)芯片(pian)(pian)芯片(pian)(pian)內存(cun)是(shi)滿足(zu)人工(gong)智能日(ri)益增長需求的(de)基礎(chu)，這將創(chuang)造許多高科技就業機會。法案(an)美(mei)光擬議的(de)億美(mei)元補約(yue)投資(zi)將分布在紐約(yue)州和愛(ai)達荷州，以在美(mei)國創(chuang)建一個(ge)強(qiang)大(da)的(de)貼未土領先(xian)DRAM芯片(pian)(pian)生態系統：

紐約(yue)州克萊 - 計(ji)(ji)劃里(li)四座晶圓廠(chang)的(de)前兩座，屬于(yu)DRAM工廠(chang)，生產是轉(zhuan)移美(mei)光未來20年內在紐約(yue)投(tou)資(zi)約(yue)1000億美(mei)元長(chang)期投(tou)資(zi)計(ji)(ji)劃的(de)第(di)一步(bu)。每座晶圓廠(chang)擁有600,000平方(fang)(fang)英尺的(de)潔凈(jing)室(shi)，四個(ge)設施的(de)潔凈(jing)室(shi)空間總計(ji)(ji)240萬平方(fang)(fang)英尺，這是美(mei)國(guo)有史以來宣布的(de)最大潔凈(jing)室(shi)空間，面積相當于(yu)近40個(ge)足球(qiu)場。

愛(ai)達荷州博(bo)伊西(xi) - 投資(zi)250億(yi)美元(yuan)建造(zao)一(yi)座大(da)型晶(jing)圓(yuan)廠，潔凈室約600,000平方英(ying)尺，專注(zhu)于(yu)(yu)生產領(ling)先(xian)的(de)DRAM芯片(pian)。這(zhe)與美光的(de)研(yan)發(fa)設施位于(yu)(yu)同一(yi)地點，以提高其(qi)研(yan)發(fa)和制造(zao)業務的(de)效率，減少技術(shu)轉讓的(de)滯后，并縮短尖端(duan)內存產品的(de)上市時間。

美(mei)光承(cheng)諾，未來(lai)六年(nian)內斥資500億美(mei)元建(jian)造(zao)前三座晶圓廠(chang)，預(yu)計將在(zai)紐約州(zhou)創(chuang)造(zao)9000多個制造(zao)和設(she)施(shi)工作(zuo)崗位以(yi)(yi)及4500個建(jian)筑工作(zuo)崗位，并在(zai)愛達荷州(zhou)創(chuang)造(zao)2000多個制造(zao)和設(she)施(shi)工作(zuo)崗位以(yi)(yi)及4500個建(jian)筑工作(zuo)崗位。