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臺積電1.6nm技術A16首次公開 2026年開始量產

日期 : 2024-05-20 03:08:52

快科技今日(4月25日)消息,臺積今天臺積電在美國舉行了“2024年臺積電北美技術論壇”,術A首次始量公布了其最新的公開004制程技術、先進封裝技術、年開以及三維集成電路(3D IC)技術等。臺積

臺積電1.6nm技術A16首次公開 2026年開始量產

臺積電1.6nm技術A16首次公開 2026年開始量產

在論壇上,術A首次(ci)始量臺(tai)積電(dian)首次(ci)公開了名為TSMC A16(1.6nm)的(de)公開制程技術。

據介紹,年開A16將結合臺積電的臺積超級電軌構架與納米片晶體管,預計于2026年量產。術A首次始量004

超級電(dian)軌(gui)技術可以將(jiang)供電(dian)網絡移到(dao)晶(jing)圓背(bei)面,公(gong)開(kai)為晶(jing)圓正(zheng)面騰出更(geng)多空間,年(nian)開(kai)從而提升邏輯密度和(he)性能,臺積讓A16適用于具有(you)復(fu)雜信號(hao)布(bu)線及密集供電(dian)網絡的術A首次(ci)始量高效能運算(HPC)產品(pin)。

臺積(ji)電(dian)表(biao)示(shi),公開(kai)相(xiang)較于N2P制程,A16芯片密度(du)提升高達1.10倍,在相(xiang)同工作電(dian)壓(ya)下,速(su)度(du)增快8-10%;在相(xiang)同速(su)度(du)下,功(gong)耗降低15-20%。

除了(le)A16外,臺積電還宣布將推出(chu)N4C技(ji)術,N4C延續了(le)N4P技(ji)術,晶粒成(cheng)本降低高達8.5%且采用門檻低,預計于2025年量(liang)產(chan)。

臺積電(dian)1.6nm技術(shu)A16首次公開(kai)!2026年開(kai)始量(liang)產


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